1шт. Транзистор RJP30E2, TO-220F

Описание товара

RJP30E2 — это не классический MOSFET, а мощный N-канальный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании Renesas Electronics. Он сочетает в себе высокую скорость управления полевого транзистора и малые потери в открытом состоянии биполярного. Чаще всего эта модель применяется в плазменных телевизорах (в блоках Y-Main и X-Main), инверторах и импульсных источниках питания. Главные технические характеристики: Тип транзистора: IGBT N-канальный Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 360 В Максимальный ток коллектора: 35 А (в импульсном режиме кратковременно до 200 А) Максимальная рассеиваемая мощность: 25 Вт Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 В Особенность корпуса (TO-220F): Внешняя подложка полностью изолирована пластиком, что позволяет монтировать транзистор на радиатор без использования диэлектрической слюдяной или силиконовой прокладки. Популярные аналоги для замены: Если оригинальный RJP30E2 отсутствует, мастера часто используют полностью взаимозаменяемые по параметрам и типу корпуса детали: RJH30E2 (полный аналог от того же производителя) RJP3034 (RJP3034DPP) GT30F125 / 30F122