1шт. Транзистор RJH30E2 аналог RJP30E2, TO-220F

Описание товара

Транзистор RJH30E2 в изолированном корпусе TO-220F (или TO-220FL) производства компании Renesas Electronics представляет собой высокоскоростной БТИЗ-транзистор (IGBT) N-канальной структуры со встроенным быстродействующим диодом (Fast Recovery Diode). Он широко применяется в схемах силовой электроники, импульсных источниках питания, инверторах, блоках развертки, а также в плазменных телевизионных панелях (в блоках Y-Main, X-Main). Основные технические характеристики Тип транзистора: IGBT (БТИЗ). Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 360 В. Максимальный ток коллектора: 30 А — 35 А (при температуре 25 °C). Максимальная рассеиваемая мощность: 20 — 25 Вт. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Типовое 1.5 В — 1.7 В. Встроенный диод: Есть (быстродействующий защитный диод между коллектором и эмиттером). Особенность корпуса (TO-220F): Полностью изолированная пластиковая задняя подложка (Full Pack), которая не требует использования диэлектрической прокладки при установке на радиатор. Прямой аналог Главным и полностью взаимозаменяемым аналогом для данного транзистора является популярная модель RJP30E2 от того же производителя.